CodingBox Documentação

Lasers por fator de forma e taxa de dados

Qual laser fica dentro de um módulo é decidido por duas coisas — a taxa por lane que o laser precisa modular e o alcance que precisa cobrir — e ambas subiram a cada geração de fator de forma. Esta página mapeia a tecnologia de laser e receptor usada em cada etapa, dos GBICs de 1G aos OSFPs de 800G.

A regra prática

AlcanceFibraLaserReceptor
≤ 100–500 mmultimodoVCSEL 850 nm, modulação diretaPIN
500 m – 2 kmmonomodoDFB (DML) ou SiPh 1310 nmPIN
10 kmmonomodoDFB (DML) até 10–25G; EML em 50–100G por lanePIN
40 kmmonomodoEML 1550 ou LAN-WDM, refrigeradoPIN ou APD
80 km+monomodoEML + APD, ou coerente sintonizávelAPD / coerente

A taxa empurra na mesma direção: até 10G, um laser modulado diretamente é suficiente; em 25G o DML fica marginal e EML/VCSEL-25G assumem; a partir de 50G PAM4 por lane, moduladores EML ou de fotônica de silício dominam; em 100G+ por lane os VCSELs atingem seu teto.

Geração por geração

1G — GBIC e SFP (anos 1990 → )

PMDLaserDetector
1000BASE-SX850 nm VCSELGaAs PIN
1000BASE-LX1310 nm FP (depois DFB)InGaAs PIN
1000BASE-EX / ZX1310 / 1550 nm DFBPIN; APD em ZX de 80–120 km
CWDM SFPDFB não refrigerado na grade de 20 nmPIN, APD em 80 km+

O espectro multimodo do laser FP era aceitável a 1,25 Gb/s; os VCSELs tornaram a óptica multimodo de 1G quase gratuita. Veja GBIC, SFP.

10G — XFP, SFP+ (2002 → )

PMDLaserDetector
10GBASE-SR850 nm 10G VCSELPIN
10GBASE-LRM1310 nm FP/DFB + EDC do hostPIN
10GBASE-LR1310 nm DFB, modulação diretaPIN
10GBASE-ER1550 nm EML, refrigeradoPIN / APD
10GBASE-ZR / 80 km1550 nm EML, refrigeradoAPD
DWDM 10G, sintonizávelDFB refrigerado ou sintonizável (DBR/ITLA) + EMLAPD

10G é onde o EML e o APD se tornaram padrão para qualquer coisa além de 10 km, e onde o CDR interno ao módulo do XFP deu lugar ao projeto do lado do host do SFP+ (XFP, SFP+).

25G — SFP28 (2015 → )

PMDLaserDetector
25GBASE-SR850 nm 25G VCSELPIN
25GBASE-LR1310 nm 25G DFB (DML) ou EMLPIN
25GBASE-ER1310 nm EMLAPD

O RS-FEC chega com o 25G, permitindo que lasers mais baratos atendam à especificação no ponto de BER pré-FEC.

40G — QSFP+ (2010 → )

PMDLaserDetector
40GBASE-SR4array de 4 × 10G VCSEL, chip-on-boardarray de 4 × PIN
40GBASE-LR44 × DFB em CWDM 1271–1331 nm, não refrigerado4 × PIN + demux
40G PSM44 × 1310 nm DFB4 × PIN

A primeira óptica paralela de mercado de massa; arrays de VCSEL em uma placa, com um array de lentes e ferrola MPO, definiram o padrão para todo SR4/SR8 desde então (QSFP+, Chip-on-board).

100G — QSFP28 (2015 → )

PMDLaserDetector
100GBASE-SR44 × 25G VCSEL (COB)4 × PIN
100G CWDM4 / CLR44 × 25G DFB (DML), CWDM não refrigerado4 × PIN + demux
100G PSM44 × 25G DFB ou MZM SiPh a partir de um único laser CW4 × PIN (Ge em SiPh)
100GBASE-LR4 / ER44 × 25G EML em LAN-WDM, refrigeradoPIN / APD
100GBASE-DR / FR / LR1 × 100G PAM4 EML ou SiPhPIN, TIA linear + DSP
100G DWDM / classe ZRsintonizável + EML ou coerenteAPD / coerente

100G é a geração em que a fotônica de silício entrou em produção em volume (PSM4, DR) e em que a divisão entre DFB não refrigerado (CWDM4, 2 km) e EML refrigerado (LR4, 10 km) definiu a escala de preços (QSFP28).

200G / 400G — QSFP56, QSFP-DD, OSFP (2019 → )

PMDLaserDetector
200G/400G SR4 / SR8arrays de VCSEL 50G PAM4 (COB)arrays de PIN + DSP
400GBASE-DR44 × 100G PAM4 EML ou MZM SiPh, 1310 nmPIN + DSP
400GBASE-FR4 / LR44 × 100G EML em CWDM, refrigeradoPIN
400GBASE-FR8 / LR88 × 50G EML em LAN-WDMPIN
400ZR / ZR+nano-ITLA sintonizável + modulador coerente SiPhreceptor coerente

O PAM4 torna o DSP parte de todo módulo e empurra os lasers para 100G por lane — território de EML e SiPh (QSFP-DD, OSFP).

800G e 1.6T — OSFP, QSFP-DD800, OSFP-XD (2022 → )

PMDLaserDetector
800G SR8VCSEL 100G PAM4 (o teto do VCSEL)PIN + DSP
800G DR8 / 2×DR48 × 100G EML ou SiPhPIN + DSP
800G 2×FR48 × 100G EML em CWDMPIN
1.6T DR8 (200G/lane)200G PAM4 EML, SiPh, moduladores de niobato de lítio em filme finoPIN + DSP
variantes LPOmesmos lasers, sem DSP no módulo — o host equalizaapenas TIA linear

Tendências transversais

  1. Da modulação direta para a externa — DML para ≤ 25G, EML/MZM acima disso.
  2. De um laser por lane para um laser por módulo — o SiPh divide uma fonte CW entre as lanes.
  3. De TO-cans herméticos para dies nuschip-on-board para óptica paralela, integração SiPh para monomodo.
  4. O alcance do VCSEL encolhe conforme a taxa cresce — 550 m em 1G, 100 m em 25G, 50–100 m em 100G; o DR monomodo está tomando conta até dos enlaces curtos de data center.
  5. O coerente entra nos pluggables — o receptor de transporte agora cabe em um QSFP-DD.
  6. A potência é o novo limite — EMLs refrigerados, DSPs e ITLAs empurram os módulos de 400G/800G para 15–20 W, impulsionando o LPO e a óptica co-packaged.

Por que isso importa para a programação e o diagnóstico

Os bytes de identidade que um switch lê — comprimento de onda, alcance, código de conformidade — são um indicador indireto do laser interno. Programar um módulo VCSEL SR4 como LR4 não muda seus lasers de 850 nm; o host vai esperar um alcance monomodo que ele não consegue entregar. E a assinatura de DDM difere conforme o tipo de laser — o bias de poucos mA de um VCSEL contra as dezenas de mA de um EML mais um TEC — de modo que um valor de bias “normal” para um é um alarme para o outro (Tipos de laser, Receptores).

O lado do processamento de sinal dessa mesma história — de amplificadores limitadores a DSPs, LPO e coerente — está em Modulação e DSP; o lado do encapsulamento está em Encapsulamento óptico.


Se você encontrar uma imprecisão ou um erro neste artigo, selecione o trecho correspondente e pressione Ctrl+Enter para .