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Láseres por factor de forma y velocidad de datos

Qué láser va dentro de un módulo lo deciden dos cosas — la tasa por carril que el láser debe modular y el alcance que debe cubrir — y ambas han avanzado con cada generación de factor de forma. Esta página mapea la tecnología de láser y receptor usada en cada paso, desde los GBIC de 1G hasta los OSFP de 800G.

La regla general

AlcanceFibraLáserReceptor
≤ 100–500 mmultimodoVCSEL 850 nm, modulación directaPIN
500 m – 2 kmmonomodoDFB (DML) o SiPh 1310 nmPIN
10 kmmonomodoDFB (DML) hasta 10–25G; EML a 50–100G por carrilPIN
40 kmmonomodoEML 1550 o LAN-WDM, enfriadoPIN o APD
80 km+monomodoEML + APD, o coherente sintonizableAPD / coherente

La tasa empuja en la misma dirección: hasta 10G un láser de modulación directa funciona bien; a 25G el DML es marginal y el EML/VCSEL-25G toman el relevo; desde 50G PAM4 por carril, dominan el EML o los moduladores de fotónica de silicio; a 100G+ por carril los VCSEL alcanzan su techo.

Generación tras generación

1G — GBIC y SFP (años 1990 → )

PMDLáserDetector
1000BASE-SXVCSEL de 850 nmPIN de GaAs
1000BASE-LXFP de 1310 nm (más tarde DFB)PIN de InGaAs
1000BASE-EX / ZXDFB de 1310 / 1550 nmPIN; APD en ZX de 80–120 km
SFP CWDMDFB sin enfriar en la rejilla de 20 nmPIN, APD en 80 km+

El espectro multimodo del láser FP era aceptable a 1,25 Gbit/s; los VCSEL hicieron que la óptica multimodo de 1G fuera casi gratis. Véase GBIC, SFP.

10G — XFP, SFP+ (2002 → )

PMDLáserDetector
10GBASE-SRVCSEL de 10G a 850 nmPIN
10GBASE-LRMFP/DFB de 1310 nm + EDC del hostPIN
10GBASE-LRDFB de 1310 nm, modulación directaPIN
10GBASE-EREML de 1550 nm, enfriadoPIN / APD
10GBASE-ZR / 80 kmEML de 1550 nm, enfriadoAPD
DWDM 10G, sintonizableDFB enfriado o sintonizable (DBR/ITLA) + EMLAPD

10G es donde el EML y el APD se convirtieron en el estándar para cualquier cosa más allá de 10 km, y donde el CDR interno del XFP dio paso al diseño del lado host del SFP+ (XFP, SFP+).

25G — SFP28 (2015 → )

PMDLáserDetector
25GBASE-SRVCSEL de 25G a 850 nmPIN
25GBASE-LRDFB de 25G a 1310 nm (DML) o EMLPIN
25GBASE-EREML de 1310 nmAPD

El RS-FEC llega con el 25G, permitiendo que láseres más baratos cumplan la especificación en el punto de BER previo a FEC.

40G — QSFP+ (2010 → )

PMDLáserDetector
40GBASE-SR4matriz de 4 × VCSEL de 10G, chip-on-boardmatriz de 4 × PIN
40GBASE-LR44 × DFB en CWDM 1271–1331 nm, sin enfriar4 × PIN + demux
40G PSM44 × DFB de 1310 nm4 × PIN

La primera óptica paralela de mercado masivo; las matrices de VCSEL sobre una placa con una matriz de lentes y férula MPO marcaron el patrón para todos los SR4/SR8 posteriores (QSFP+, Chip-on-board).

100G — QSFP28 (2015 → )

PMDLáserDetector
100GBASE-SR44 × VCSEL de 25G (COB)4 × PIN
100G CWDM4 / CLR44 × DFB de 25G (DML), CWDM sin enfriar4 × PIN + demux
100G PSM44 × DFB de 25G o MZM de SiPh desde un láser CW4 × PIN (Ge sobre SiPh)
100GBASE-LR4 / ER44 × EML de 25G en LAN-WDM, enfriadoPIN / APD
100GBASE-DR / FR / LR1 × EML PAM4 de 100G o SiPhPIN, TIA lineal + DSP
100G DWDM / clase ZRsintonizable + EML o coherenteAPD / coherente

100G es la generación en la que la fotónica de silicio entró en producción de volumen (PSM4, DR) y en la que la división entre DFB sin enfriar (CWDM4, 2 km) y EML enfriado (LR4, 10 km) definió la escala de precios (QSFP28).

200G / 400G — QSFP56, QSFP-DD, OSFP (2019 → )

PMDLáserDetector
200G/400G SR4 / SR8matrices de VCSEL PAM4 de 50G (COB)matrices de PIN + DSP
400GBASE-DR44 × EML PAM4 de 100G o MZM de SiPh, 1310 nmPIN + DSP
400GBASE-FR4 / LR44 × EML de 100G en CWDM, enfriadoPIN
400GBASE-FR8 / LR88 × EML de 50G en LAN-WDMPIN
400ZR / ZR+nano-ITLA sintonizable + modulador coherente de SiPhreceptor coherente

El PAM4 convierte al DSP en parte de todo módulo y empuja a los láseres a 100G por carril — territorio de EML y SiPh (QSFP-DD, OSFP).

800G y 1,6T — OSFP, QSFP-DD800, OSFP-XD (2022 → )

PMDLáserDetector
800G SR8VCSEL PAM4 de 100G (el techo del VCSEL)PIN + DSP
800G DR8 / 2×DR48 × EML de 100G o SiPhPIN + DSP
800G 2×FR48 × EML de 100G en CWDMPIN
1,6T DR8 (200G/carril)EML PAM4 de 200G, SiPh, moduladores de niobato de litio de capa finaPIN + DSP
Variantes LPOlos mismos láseres, sin DSP en el módulo — ecualiza el hostsolo TIA lineal

Tendencias transversales

  1. De la modulación directa a la externa — DML para ≤ 25G, EML/MZM por encima.
  2. De un láser por carril a un láser por módulo — SiPh divide una fuente CW entre varios carriles.
  3. De latas TO herméticas a dies desnudos — chip-on-board para óptica paralela, integración SiPh para monomodo.
  4. El alcance del VCSEL se reduce a medida que crece la tasa — 550 m a 1G, 100 m a 25G, 50–100 m a 100G; el DR monomodo está ganando terreno incluso en los enlaces cortos de centro de datos.
  5. Lo coherente entra en lo conectorizable — el receptor de transporte ahora cabe en un QSFP-DD.
  6. La potencia es el nuevo límite — los EML enfriados, los DSP y los ITLA empujan los módulos de 400G/800G hacia 15–20 W, impulsando el LPO y la óptica co-empaquetada.

Por qué importa para la codificación y el diagnóstico

Los bytes de identidad que lee un conmutador — longitud de onda, alcance, código de conformidad — son un indicador indirecto del láser interior. Codificar un módulo VCSEL SR4 como LR4 no cambia sus láseres de 850 nm; el host esperará un alcance monomodo que no puede ofrecer. Y la firma de DDM difiere según el tipo de láser — los pocos mA de bias de un VCSEL frente a las decenas de mA de un EML más un TEC — de modo que un valor de bias "normal" para uno es una alarma para el otro (Tipos de láser, Receptores).

El lado del procesamiento de señal de la misma historia — desde amplificadores limitadores hasta DSP, LPO y coherente — está en Modulación y DSP; el lado del empaquetado en Empaquetado óptico.


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